英飞凌全新原装

FF200R12KT4

一、电气参数

1. 电气额定值：
   • 集电极 - 发射极电压 (Vces)：最大 1200V (1.2kV) 。
   • 集电极电流 (Ic)：额定电流 200A(Tc=80°C)，25°C 环境下连续集电极电流可达  。
   • 饱和压降 (VCE(sat))：典型值 1.75V(Tvj=25°C, Ic=200A) 。
2. 封装与结构：
   • 封装形式：62mm标准封装，采用螺栓安装 (Screw Mount) 。
   • 内部配置：双 IGBT 半桥配置 (Dual IGBT, Half-bridge)，内置优化发射极控制二极管 。
   • 技术代际：采用 Trench/Fieldstop IGBT4 技术，硅片结温高可达 175°C，运行温度可达 150°C。
3. 功率与热特性：
   • 总功率耗散 (Ptot)：1.1kW (Tc=25°C) 。
   • 热阻 (RthJC)：结到外壳热阻约为 0.135 K/W。
   • 工作温度范围：-40°C 至 +150°C。

工业电源—金属热处理

不间断电源

电机驱动

风电光伏系统

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