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此类红外热像仪不需要制冷,且成本比量子探测器红外热像仪低。制冷型量子探测器采用锑华铟(InS、铟镓砷(InGaAs)或应变超晶格制成。这类探测器为光电探测器,即光子撞击像素点,转化为可存储于积分电容器的电子。像素采用的电子快门,通过断开或短路积分电容器来控制快门。锑化铟(InSb)探测器热像仪,比如FLIRX69sc,在测量-2?C至35?C之间的物体温度时,其典型的积分时间可能低至.48μs。
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可控硅检测方案分析电控系统长时间运行后,电发动机会出现跳闸等故障。基于此,对可控硅性能好坏进行检测,对于系统的日常维护、保证正常运转具有十分重要的意义。通常对电气设备的检测设备及方法有万用表、漏电仪、摇表,另外,还可以利用示波器观测导通电流以判断可控硅导通情况。在实际生产中,仅采用万用表无法判断可控硅的故障。下面对几种检测方法进行对比,以得出可控硅检测的方法。漏电仪检测法(耐压试验)采用大电流发生器(简称升流器)对可控硅K两极之间进行漏电试验。

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低时延是5G区别于前几代移动通信的主要特征,但也给承载网尤其是5G前传承载网带来了极大挑战。uRLLC业务要求时延小于1ms,分配给承载网设备的时延非常苛刻,传统的承载设备几十微秒的时延难以满足要求,为5G承载带来了极大挑战。另一方面,5G业务的带宽需求也有着大幅的增长,在C-RAN架构下,一个典型的5G的前传带宽达到了3-6路25G,传统的光纤直驱难以满足需求。作为综合通信解决方案提供商,中兴通讯在低时延高可靠性传输方面有着深厚的技术积累。
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