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半导体迅速热处理专用谐波减速机CSF-40-120-2UH工艺中，需要对晶圆做快速热处理（rapid thermal processing，RTP），即在几秒或更短的时间内把晶圆加热到1000 ℃左右。
晶圆的加热一般使用大功率的灯泡或激光。高功率激光束按一定的路径在晶圆表面扫描，快速加热晶圆（laser scanning annealing，LSA）。这种快速热处理工艺主要用来激活掺杂（dopant activation）、热氧化（thermal oxidaton）等。
在半导体工艺中半导体迅速热处理专用谐波减速机CSF-40-120-2UH或RTP工艺用于快速并且均匀地加热晶片，其通常被应用在离子注入之后的掺杂物活化及扩散、形成金属硅化物之后的回火处理以与栅极氧化层的回火处理等方面。在RTP工艺中，单片晶片被放置在密闭的RTP反应舱中，利用特定热源及预设的升温程序进行加热晶片，以快速达到所要求的温度。在温度控制方面，有以高温计(pyrometer)量测感应晶片所辐射出的在某特定波长下的热，以计算出最理想的精确度。过去所努力的焦点都是放在如何精密地控温而提高温度的均一性，及发展出不同的加热周期与程序以降低热预算(thermalbudget)。然而，影响半导体工艺品质的因素除了RTP工艺温度的均一性之外，也不能忽视在RTP工艺中产生的微粒污染。
请参阅图1，其绘示的是现有技艺RTP反应舱10的剖面示意图，其中半导体晶片12被平放在三根石英针14上，并准备以配置在RTP反应舱10中的加热灯管16及18进行加热。RTP反应舱10具有外壳20，其具有高抛光内壁22，并有气密门24使晶片得以进出。半导体晶片的温度利用高温计26进行量测，半导体迅速热处理专用谐波减速机CSF-40-120-2UH并连结至计算机32以控制加热灯管16及18的输出，同时计算机也控制气体流量单元30以及工艺气体28。
现有技艺利用旋转半导体晶片的方式使其加热温度或使成长在晶片表面的薄膜能够更为均匀，请参阅图2，其绘示的是现有RTP方法的流程图。首先，如步骤42，先将半导体晶片载入刚刚降温下来的RTP反应舱中，其中半导体晶片平放在石英针上，且一开始，半导体晶片的温度约为室温，低于RTP反应舱的内壁温度(通常为30至80℃)。接着，如步骤44，使半导体晶片水平旋转。接着，如步骤46，将工艺气体导入RTP反应舱中。最后，如步骤48，以储存在计算机中的预设升温程序，开始进行半导体晶片的加热。然而，上述现有技艺以旋转半导体晶片方式进行均匀热处理的RTP方法却容易导入微粒污染。
